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扩展电阻介绍 了解扩展电阻的详细内容

展开全部意思就是要用欧姆2113表去直接测量. 欧姆表就是自5261身产生一个弱电流4102, 去测量探针两端的电压, 然后和自1653身的体电阻比较, 最后给出电阻值. 但是这对于半导体是不准确的, 半导体电阻无法用两根探针测量的主要原因是: 1.接触电阻的影响严重。探针与半导体接触产生一定厚度的耗尽层,耗尽层是高阻的, 另外探针和半导体之间不像与金属之间一样很好的接触, 还会产生一个额外的电阻, 称为扩展电阻,两者都是接触电阻,通常都很大. 半导体的实际电阻相对于它们越小, 测量结果就越不准确. 2.存在少子电注入. 专用方法:四探针法, 两根探针输入测量电流, 另外两根探针测量电压分布. 要是懂电流计, 电压计和电阻计的原理, 就能更明白了.实在不行换一个 或者在硬之城上面找找这个型号的资料www.shufadashi.com*�ɼ*�

定义

  可以简单看作是个单探针电阻仪测得的电阻,一般是定义Ldd附近的电阻,电流扩散到一个更大面积时候的电阻。

详细解释

答:(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 参考资料

  针尖与半导体接触,通电时针尖周围形成球形电场,通过测量电流,电压计算出电阻R=v/I―P/4a,式中,R便是扩展电阻。测出扩展电阻就可得到该样品的电阻率,其换算需要考虑很多因素,如形状,压力大小,厚度等。

答:IGBT 简介1.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分

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答:常用的电阻率测量方法有直接法、二探针法、三探针法、四探针法、多探针阵列、扩展电阻法、霍尔测量、涡流法、微波法、电容耦合C-V测量等。对于体单晶的电阻率测量,生产中应用最普遍的是四探针法;对于半导体晶片的

展开全部IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型62616964757a686964616fe4b893e5b19e31333431363031晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。分类1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求,摩托罗拉、ST半导体、三菱等公司推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。2、U-IGBTU(沟槽结构)--IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后,可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。现有多家公司生产各种U—IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。3、NPT-IGBTNPT(非穿通型)--IGBT采用薄硅片技术,以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延,可降低生产本钱25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时,NPT—IGBT可靠性最高。扩展资料:发展历程1979年,MOS栅功率开关器件作为IGBT概念的先驱即已被介绍到世间。这种器件表现为一个类晶闸管的结构(P-N-P-N四层组成),其特点是通过强碱湿法刻蚀工艺形成了V形槽栅。80年代初期,用于功率MOSFET制造技术的DMOS(双扩散形成的金属-氧化物-半导体)工艺被采用到IGBT中来。在那个时候,硅芯片的结构是一种较厚的NPT(非穿通)型设计。90年代中期,沟槽栅结构又返回到一种新概念的IGBT,它是采用从大规模集成(LSI)工艺借鉴来的硅干法刻蚀技术实现的新刻蚀工艺,但仍然是穿通(PT)型芯片结构。在这种沟槽结构中,实现了在通态电压和关断时间之间折衷的更重要的改进。硅芯片的重直结构也得到了急剧的转变,先是采用非穿通(NPT)结构,继而变化成弱穿通(LPT)结构,这就使安全工作区(SOA)得到同表面栅结构演变类似的改善。参考资料来源:百度百科-IGBT*展开全部.IGBT的基本结构绝缘栅双极晶62616964757a686964616fe78988e69d8331333264663064体管(IGBT)本质上是一个场效应晶体管,只是在漏极和漏区之间多了一个 P 型层。根据国际电工委员会的文件建议,其各部分名称基本沿用场效应晶体管的相应命名。 图1所示为一个 N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构, N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。 N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P一区)(沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region )。而在漏区另一侧的 P+ 区称为漏注入区(Drain injector ),它是 IGBT 特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成 PNP 双极晶体管,起发射极的作用,向漏极注入空穴,进行导电调制,以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。 为了兼顾长期以来人们的习惯, IEC 规定:源极引出的电极端子(含电极端)称为发射极端(子),漏极引出的电极端(子)称为集电极端(子)。这又回到双极晶体管的术语了。但仅此而已。 IGBT的结构剖面图如图2所示。它在结构上类似于MOSFET ,其不同点在于IGBT 是在N沟道功率MOSFET 的N+基板(漏极)上增加了一个P+ 基板(IGBT 的集电极),形成 PN 结j1 ,并由此引出漏极、栅极和源极则完全与 MOSFET 相似。 图1 N沟道IGBT结构 图2 IGBT的结构剖面图由图2可以看出,IGBT相当于一个由MOSFET驱动的厚基区GTR ,其简化等效电路如图3所示。图中Rdr是厚基区GTR的扩展电阻。IGBT是以GTR 为主导件、MOSFET 为驱动件的复合结构。 N沟道IGBT的图形符号有两种,如图4所示。实际应用时,常使用图2-5所示的符号。对于P沟道,图形符号中的箭头方向恰好相反,如图4所示。图3图4 图5IGBT 的开通和关断是由栅极电压来控制的。当栅极加正电压时,MOSFET 内形成沟道,并为PNP晶体管提供基极电流,从而使IGBT导通,此时,从P+区注到N一区进行电导调制,减少N一区的电阻 Rdr值,使高耐压的 IGBT 也具有低的通态压降。在栅极上加负电压时,MOSFET 内的沟道消失,PNP晶体管的基极电流被切断,IGBT 即关断。 正是由于 IGBT 是在N 沟道 MOSFET 的 N+ 基板上加一层 P+ 基板,形成了四层结构,由PNP-NPN晶体管构成 IGBT 。但是,NPN晶体管和发射极由于铝电极短路,设计时尽可能使NPN不起作用。所以说, IGBT 的基本工作与NPN晶体管无关,可以认为是将 N 沟道 MOSFET 作为输入极,PNP晶体管作为输出极的单向达林顿管。 采取这样的结构可在 N一层作电导率调制,提高电流密度。这是因 为从 P+ 基板经过 N+ 层向高电阻的 N一层注入少量载流子的结果。 IGBT 的设计是通过 PNP-NPN 晶体管的连接形成晶闸管。本回答被提问者采纳*展开全部IGBT是绝缘栅双极型晶体管,是由32313133353236313431303231363533e4b893e5b19e31333337613237BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT分为七类:1、低功率IGBTIGBT应用范围一般都在600V、1KA、1KHz以上区域,为满足家电行业的发展需求推出低功率IGBT产品,实用于家电行业的微波炉、洗衣机、电磁灶、电子整流器、照相机等产品的应用。2、U-IGBTU(沟槽结构)-IGBT是在管芯上刻槽,芯片元胞内部形成沟槽式栅极。采用沟道结构后可进一步缩小元胞尺寸,减少沟道电阻,进步电流密度,制造相同额定电流而芯片尺寸最少的产品。现有多家公司生产各种U-IGBT产品,适用低电压驱动、表面贴装的要求。3、NPT-IGBTNPT(非穿通型)-IGBT采用薄硅片技术,以离子注进发射区代替高复杂、高本钱的厚层高阻外延,可降低生产成本25%左右,耐压越高本钱差越大,在性能上更具有特色,高速、低损耗、正温度系数,无锁定效应,在设计600—1200V的IGBT时NPT—IGBT可靠性最高。NPT型正成为IGBT发展方向。4、SDB-IGBT采用SDB(硅片直接键合)技术在IC生产线上制作第四代高速IGBT及模块系列产品,特点为高速,低饱和压降,低拖尾电流,正温度系数易于并联,在600V和1200V电压范围性能优良,分为UF、RUF两大系统。5、超快速IGBT研发重点在于减少IGBT的拖尾效应,使其能快速关断,研制的超快速IGBT可最大限度地减少拖尾效应,关断时间不超过2000ns,采用特殊高能照射分层技术,关断时间可在100ns以下,拖尾更短,重点产品专为电机控制而设计,现有6种型号,另可用在大功率电源变换器中。6、IGBT/FRDIGBT/FRD有效结合,将转换状态的损耗减少20%,采用TO—247外型封装,额定规格为1200V、25、50、75、100A,用于电机驱动和功率转换,以IGBT及FRD为基础的新技术便于器件并联,在多芯片模块中实现更均匀的温度,进步整体可靠性。7、IGBT功率模块IGBT功率模块采用IC驱动,各种驱动保护电路,高性能IGBT芯片,新型封装技术,从复合功率模块PIM发展到智能功率模块IPM、电力电子积木PEBB、电力模块IPEM。PIM向高压大电流发展,智能化、模块化成为IGBT发展热门。*展开全部IGBT中文名字叫绝缘栅bai双节型晶体管。du它是mos管和zhi晶体管的复合。电压dao控制型器件。前面内是用的mos管的绝缘栅,容后面是用的晶体管,等效电路就是这么画的。它具有mos管开关频率高的特点(比mos管低点),还有晶体管耐压高等特点。是全控型器件。用栅极电压来控制IGBT的开通,关断。*展开全部可以按封装du和芯片不同分类zhi:关继防(Kevin Guan)H/P:135 8924 1111***********************************************WESTPAC BEIJING OFFICE 香港威柏北京dao营业公司北京市马家堡西路版36号东亚三环中心1号楼2112室权*www.shufadashi.com*ɼ*�

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